31 Январь 2012

Мы уже рассказывали вам, что переход накопителей OCZ на использование более новой 25 нм памяти был сопряжён с уменьшением доступного пользователю дискового пространства и снижением уровня быстродействия. Претензии покупателей сводились к тому, что об этих изменениях производитель никак не предупреждал потребителя, и обновлённые накопители имели идентичную старым маркировку и такие же заявленные технические характеристики. Некоторое снижение цены для многих покупателей не было адекватной компенсацией за потерю доступного пространства и снижение быстродействия. Более того, некоторые источники сообщают, что 25 нм микросхемы памяти NAND имеют сниженный до 3000 циклов перезаписи ресурс, тогда как 34 нм микросхемы обеспечивали до 5000 циклов. Чтобы компенсировать снижение ресурса, OCZ резервирует под замену "отработавших" ячеек больший объём дискового пространства. Для накопителей объёмом до 128 Гб речь может идти о потере до 5 Гб ёмкости. На сайте OCZ Technology пресс-релиз о переходе на использование 25 нм микросхем содержал совсем другие нотки. Компания заявила, что первой среди конкурентов перешла на использование 25 нм микросхем, и это позволит снизить стоимость накопителей. Сроки гарантии тоже не меняются. Попутно OCZ сообщила, что некоторые модели твёрдотельных накопителей продолжат использовать 34 нм микросхемы, но будут предлагаться по более высокой цене. Очевидно, недовольным реформами покупателям имеет смысл ориентироваться именно на эти продукты.