07 Февраль 2012

Мы привыкли считать, что переход на использование твёрдотельной памяти, выпущенной по более "тонкому" техпроцессу, позволяет добиться снижения себестоимости накопителя, повышения его ёмкости и производительности. Однако, если прислушаться к жалобам потребителей на форуме сайта OCZ Technology, можно убедиться, что не всегда технический прогресс приносит пользу обывателю. Как выясняется, накопители OCZ на базе контроллеров SandForce и твёрдотельной памяти производства Micron недавно начали переход на 25 нм микросхемы, хотя ранее использовали 34 нм микросхемы. Во-первых, скорость записи информации на новые микросхемы оказалась искусственным образом ограничена по инициативе производителя памяти, и некоторые владельцы новых накопителей OCZ это на себе почувствовали. Во-вторых, специфика работы функции RAISE и традиционных механизмов резервирования некоторой части памяти для компенсации износа и сбоев в случае с контроллерами SandForce выразилась в уменьшении доступного для пользователя объёма новых накопителей. Сообщается, что основанные на 25 нм памяти накопители пожертвовали на нужды повышения надёжности дополнительно до 5 Гб пространства. OCZ пытается успокоить потребителей сообщениями о том, что потери в объёме компенсируются возросшей надёжностью хранения данных, а основанные на 25 нм памяти накопители стали дешевле предшественников. Проблема проявляется в накопителях объёмом не более 128 Гб. По внешним признакам до момента покупки "старые" и "новые" накопители никак отличить нельзя, лишь меньшая ёмкость, отображаемая в BIOS материнской платы, может указать на накопитель новой ревизии. Технически OCZ никак влиять на ситуацию не может, поскольку она целиком зависит от специфики компонентов производства SandForce и Micron. Недовольные покупатели обновлённых накопителей могут обратиться для возврата продукции OCZ по гарантии.